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OTF-1200X-S-HPCVD是一款坩埚可炉管内移动（靠步进电机控制）的小型开启式管式炉。炉管直径为50mm,设备Z高工作温度为1200℃。 设备特点：坩埚通过一步进电机控制炉管，按照设定程序移动，同时坩埚后端安装一热电偶（随坩埚仪器移动），可实时监测样品的温度，意味着可通过移动坩埚的位置，在炉体中准确找到实验所需要的温度，使得实验准确度更高，重复性更强。此款设备可用于多种实验，比
OTF-1200X-4-VTQ是立式可开启真空管式淬火炉，石英管直径100mm，配有一个密封的液体容器用于样品淬火，温度从Z高1200度到冰水或油，可用于研究材料相转变和微结构性能。
OTF-1200X-S-DVD是一款靠磁铁推动坩埚移动的管式炉。其炉管直径为50mm,Z高工作温度为1200℃。本公司设计此款管式炉主要是为了在各种气氛环境下用蒸发性沉积方法（DVD）来制取2维薄膜，或对材料进行快速热处理。
OTF-1200X-II-HPV是一款双温区立式高温高压炉，炉管采用镍基合金钢管制作，具有较高的蠕变强度和抗氧化性。炉管可承受的Z高温度为1100℃（在此温度下可承受的压力为3MPa）.此款设备适合用水浴法制备材料，也特别适合在高压氧环境下对样品进行热处理。法兰上安装有电磁阀，当炉管内压力高于设定值时，电磁发自动打开排出气体减小管内气压。
OTF-1200X-S2-50SL是一款小型的双炉体滑动管式炉，炉管为Φ50×1400mm的石英管，并配有不锈钢密封法兰，仪器Z高温度可以达到1200℃。两个炉体可在滑轨上滑动，实现对原材料的蒸发/升华，及薄膜沉积。通过炉体的滑动可实现对样品快速加热，Z大升温速率为100℃/min.同时可选择电动滑轨、质量流量计（MFC）控制的供气系统和等离子射频电源来搭建TCVD系统。
OTF-1200X--HVC是由OTF-1200X-单温区管式炉，二路质子混气系统和高真空机组组成。其Z高工作温度可达1200℃，极限真空度可达 to 10^-5 torr。混气系统可以对两种气体进行精确的混气，然后导入到管式炉内部。
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