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  • OTF-1200X-5L-R-CVD5英寸旋转CVD管式炉

    OTF-1200X-5L-R-CVD是一款旋转CVD炉。炉体有3个加热区,可提高温度均匀性,同时配有4通道的精密混气系统。此款管式炉设计主要用于电池粉体材料表面包覆或其他粉体材料表面修饰。设备相关论文(点击查看)

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    产品价格:面议
    厂商性质:生产厂家
    更新日期:2024-02-22
  • OTF-1200X-4-R-II-AF1200℃ 4英寸双温区回转CVD管式炉

    OTF-1200X-4-R-II-AF是一款4英寸双温区回转CVD管,安装有自动送料器和收料罐。自动可定份额地将粉料送入到炉管中,此过程可在气氛保护环境下进行,可实现用连续CVD方法对粉体材料进行包覆和修饰。收料罐可在气氛保护环境下对处理好的粉料进行收集。此款管式炉设计主要是在锂离子电池的阴极材料(如LiFePO3, LiMnNiO3)上包覆导电层,同时也可用CVD方式制备 Si/C 阳极材料。

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    厂商性质:生产厂家
    更新日期:2024-02-22
  • OTF-1200X-50-II-PE-MPECVD管式炉(带有预热系统的滑动)

    OTF-1200X-50-II-4CV-PE-MSL是一款双温区的PE-CVD管式炉系统,组成部分为500W的射频发生器、滑动速度可控的双温区滑轨炉,预热炉(作用为使固体原料蒸发)和德国进口的无油泵。此款PE-CVD对于生长纳米线或用CVD,方法来制作各种薄膜是一款新的探索工具。

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    厂商性质:生产厂家
    更新日期:2024-02-22
  • TCVD--OTF-1200X-S2-50SL小型双炉体滑动管式炉

    OTF-1200X-S2-50SL是一款小型的双炉体滑动管式炉,炉管为Φ50×1400mm的石英管,并配有不锈钢密封法兰,仪器Z高温度可以达到1200℃。两个炉体可在滑轨上滑动,实现对原材料的蒸发/升华,及薄膜沉积。通过炉体的滑动可实现对样品快速加热,Z大升温速率为100℃/min.同时可选择电动滑轨、质量流量计(MFC)控制的供气系统和等离子射频电源来搭建TCVD系统。

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    厂商性质:生产厂家
    更新日期:2024-02-22
  • 1700°C二通道混气高真空CVD系统-GSL-1700X-4-HVC

    GSL-1700X-4-HVC是一款CE认证的二通道高真空CVD系统,其炉管直径为4英寸,它是由二路质子混气系统和高真空机组组成,其Z高工作温度可达1600℃,极限真空度可达 to 10^-5 torr。混气系统可以对两种气体进行精确的混气,然后导入到管式炉内部。

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  • 1200°C二通道混气高真空CVD系统-OTF-1200X-HVC

    OTF-1200X--HVC是由OTF-1200X-单温区管式炉,二路质子混气系统和高真空机组组成。其Z高工作温度可达1200℃,极限真空度可达 to 10^-5 torr。混气系统可以对两种气体进行精确的混气,然后导入到管式炉内部。

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    产品价格:面议
    厂商性质:生产厂家
    更新日期:2024-02-22
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