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氮化镓(GaN)晶体基片

简要描述:GaN易与AlN、InN等构成混晶,能制成各种异质结构,已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG(因为2-DEG面密度较高,有效地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素).科晶公司将为您提供高品质低价位的氮化镓晶体和基片。

  • 产品型号:GaN
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2024-02-22
  • 访  问  量:2504

详细介绍

产品名称:

氮化镓(GaN)晶体基片

产品简介:

GaN易与AlNInN等构成混晶,能制成各种异质结构,已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs2-DEG(因为2-DEG面密度较高,有效地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素).科晶公司将为您提供高品质低价位的氮化镓晶体和基片。

技术参数:

制作方法:

HVPE(氢化物气象外延法)

传导类型:

N型;半绝缘型

电阻率:

R<0.5 Ω.cm;R>106Ω.cm

表面粗糙度:

<0.5nm

位错密度:

<5x106Ω.cm

可用表面积:

>90%

TTV:

≤15um

Bow:

≤20um

 

产品规格:

晶体方向: <0001>;常规尺寸:dia50.8mm±1mm x 0.35mm ±25um;

注:可按照客户要求加工尺寸及方向。

标准包装:

1000级超净室100级超净袋或单片盒装

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