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SiC晶体基片

简要描述：SiC晶体基片

  • 产品型号：
  • 厂商性质：生产厂家
  • 更新时间：2024-09-06
  • 访  问  量：2032
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详细介绍

产品名称：

碳化硅(SiC)晶体基片

技术参数：

晶胞结构

 六方

晶格常数

 a =3.08 ?      c = 15.08 ?

排列次序

 ABCACB  (6H)

生长方法

 MOCVD

方向

 生长轴或偏(0001) 3.5°

抛光

 Si面抛光

带隙

 2.93 eV (间接)

导电类型

 N

电阻率

 0.076 ohm-cm

介电常数

 e(11) = e(22) = 9.66     e(33) = 10.33

热导率@300K

 5 W / cm . K

硬度

 9.2 Mohs


产品规格：

掺杂类型：6H N型 <0001> 表示专门掺N的，掺杂浓度是10E18-10E19；4H N型；半绝缘；
常规尺寸：dia2"x0.33mm,  dia3"x0.35mm， 10x10mm,10x5mm；

抛光情况：单抛或双抛；

表面粗糙度：Ra<10A

常规晶向 ：<0001>现可供应<10-10>和<11-20>,10x10x0.3mm，单抛 一种低电阻率（0.01~0.1 ohm.cm)，一种是高电阻率（>10^5 ohm.cm)


标准包装：

1000级超净室100级超净袋包装或单片盒、插盒装


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