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InP晶体基片

简要描述：磷化铟（InP）晶体基片

  • 产品型号：
  • 厂商性质：生产厂家
  • 更新时间：2024-09-06
  • 访  问  量：1441
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产品名称：

磷化铟(InP)晶体基片


技术参数：

单晶

InP

掺杂

None；Sn；S；Fe：Zn

硬度

3.0莫氏硬度

密度4.78 g/cm3

导电类型

N；N；N；Si；P

折射率3.45

载流子浓度cm-3

1-2x1016     1-3x1018
1-4x1018     .6-4x1018

位错密度cm-2

<5x104

生长方法

LEC

温度1072℃

弹性模量

7.1E11dyn  Cm-2

产品规格：

标准尺寸：<100>, dia2"x0.5mm,单抛;

          <100>, 10x10x0.5mm,单抛；

表面粗糙度Ra：<15A

注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

标准包装：1000级超净室，100级超净袋封装


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