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InAs晶体基片

简要描述:砷化铟(InAs)晶体

  • 产品型号:
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2023-10-20
  • 访  问  量:1077

详细介绍

产品名称:

砷化铟(InAs)晶体

产品简介:


技术参数:

晶体结构:

立方  a =5.4505 ?

生长方法:

CZ

导电类型:

N型

掺杂类型:

不掺杂

载流子浓度:

2 ~ 5E16 / cm3 

迁移率:

>18500cm2/V.S 


常规尺寸:

常规晶向:<100>、<111>;

常规尺寸:10x10x0.5mm;

dia2″x0.5mm;抛光情况:单抛或双抛;

表面粗糙度Ra:<15A

注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

备注:

1000级超净室100级超净袋



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