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InAs晶体基片

简要描述：砷化铟（InAs）晶体

  • 产品型号：
  • 厂商性质：生产厂家
  • 更新时间：2024-09-06
  • 访  问  量：1380
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详细介绍

产品名称：

砷化铟（InAs）晶体

产品简介：


技术参数：

晶体结构：

立方  a =5.4505 ?

生长方法:

CZ

导电类型：

N型

掺杂类型：

不掺杂

载流子浓度：

2 ~ 5E16 / cm3 

迁移率：

>18500cm2/V.S 


常规尺寸：

常规晶向：<100>、<111>；

常规尺寸：10x10x0.5mm;

dia2″x0.5mm;抛光情况：单抛或双抛;

表面粗糙度Ra:<15A

注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

备注：

1000级超净室100级超净袋



Other InAs

InSb

InP 

GaAs

GaSb

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薄膜制备设备

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