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AlN薄膜

简要描述:AllN Epitxial范本saphhire提出了氢化物气相外延(HVPE)的方法。氮化铝薄膜又是成本效益的方法,用来取代氮化铝单晶衬底。科晶真诚欢迎您的垂询!

  • 产品型号:
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2024-07-21
  • 访  问  量:2112

详细介绍

产品名称:

氮化铝(AlN)薄膜

产品简介:

AllN Epitxial范本saphhire提出了氢化物气相外延(HVPE)的方法。氮化铝薄膜又是成本效益的方法,用来取代氮化铝单晶衬底。科晶真诚欢迎您的垂询!

技术参数:

尺寸

 dia50.8mm±1mm

蓝宝石衬底取向

 c轴(0001)±1.0deg

衬底:

 Al2O3;SiC;GaN

薄膜厚度:

10-5000nm

导电类型:

 半绝缘型

位错密度:

XRD FWHM of <0002><500arcsec;

XRD FWHM of <10-12><1500arcsec;

有效面积:

>80%

抛光:

单抛光


  产品规格:


氮化铝(蓝宝石衬底):dia2"*1500nm±10%


注:可根据客户需求定制特殊的方向和尺寸。

标准包装:

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装


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