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GaSb晶体基片

简要描述:锑化镓(GaSb)晶体基片

  • 产品型号:
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2024-02-22
  • 访  问  量:917

详细介绍


产品名称:锑化镓(GaSb)晶体基片
技术参数:

单晶:

GaSb

掺杂:

none;None, high R;Zn;Te;Te, high R

导电类型:

P   P-    P+    N

载流子浓度
cm-3  :

1-2x1017     1-5x1016     1-5x1018
2-6x1017     1-5x1016

位错密度
cm-2  :

<103

生长方法及
zui大尺寸 :

LEC ? 3"

产品规格:

标准尺寸:<100>, dia2"x0.5mm, 单抛,

表面粗糙度Ra:<15A              

可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

标准包装:1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装


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