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GaSb晶体基片

简要描述：锑化镓（GaSb）晶体基片

  • 产品型号：
  • 厂商性质：生产厂家
  • 更新时间：2024-07-21
  • 访  问  量：1074
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产品名称：锑化镓(GaSb)晶体基片
技术参数：

单晶：

GaSb

掺杂：

none；None, high R；Zn；Te；Te, high R

导电类型：

P   P-    P+    N

载流子浓度
cm-3  ：

1-2x1017     1-5x1016     1-5x1018
2-6x1017     1-5x1016

位错密度
cm-2  ：

<103

生长方法及
zui大尺寸 ：

LEC ? 3"

产品规格：

标准尺寸：<100>, dia2"x0.5mm, 单抛，

表面粗糙度Ra:<15A              

可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装


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