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GaN薄膜

简要描述：氮化镓Epitxial范本saphhire是提出了氢化物气相外延（HVPE）的方法。在HVPE过程中，盐酸反应生成GaCl，而这又与氨反应生成氮化镓熔镓。外延GaN的模板是成本效益的方法，以取代氮化镓单晶基板。

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  • 厂商性质：生产厂家
  • 更新时间：2024-10-22
  • 访  问  量：1468
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产品名称：

氮化镓(GaN)薄膜

产品简介：

氮化镓Epitxial范本saphhire是提出了氢化物气相外延（HVPE）的方法。在HVPE过程中，盐酸反应生成GaCl，而这又与氨反应生成氮化镓熔镓。外延GaN的模板是成本效益的方法，以取代氮化镓单晶基板。




 技术参数：

常规尺寸

dia50.8±1mm  x 4um,10-25um.

dia100±1mm  x 4um,10-25um. <0001>±1° N型

注：可按客户需求定制特殊堵塞方向和尺寸。

产品定位C轴<0001>±1°
传导类型N型；半绝缘型；P型
电阻率R<0.05 Ohm-cm；半绝缘型R>106 Ohm-cm
位错密度<1x108 Cm-2
表面处理(镓面)AS Grown
有效值<1nm
可用表面积

>90%

标准包装：

1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

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