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GaN薄膜

简要描述:氮化镓Epitxial范本saphhire是提出了氢化物气相外延(HVPE)的方法。在HVPE过程中,盐酸反应生成GaCl,而这又与氨反应生成氮化镓熔镓。外延GaN的模板是成本效益的方法,以取代氮化镓单晶基板。

  • 产品型号:
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2024-02-22
  • 访  问  量:1159

详细介绍


产品名称:

氮化镓(GaN)薄膜

产品简介:

氮化镓Epitxial范本saphhire是提出了氢化物气相外延(HVPE)的方法。在HVPE过程中,盐酸反应生成GaCl,而这又与氨反应生成氮化镓熔镓。外延GaN的模板是成本效益的方法,以取代氮化镓单晶基板。




 技术参数:

常规尺寸

dia50.8±1mm  x 4um,10-25um.

dia100±1mm  x 4um,10-25um. <0001>±1° N型

注:可按客户需求定制特殊堵塞方向和尺寸。

产品定位C轴<0001>±1°
传导类型N型;半绝缘型;P型
电阻率R<0.05 Ohm-cm;半绝缘型R>106 Ohm-cm
位错密度<1x108 Cm-2
表面处理(镓面)AS Grown
有效值<1nm
可用表面积

>90%

标准包装:

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装

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