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GaAs晶体基片

简要描述：砷化镓（GaAs）晶体基片

  • 产品型号：
  • 厂商性质：生产厂家
  • 更新时间：2024-07-21
  • 访  问  量：1404
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详细介绍

产品名称：

砷化镓(GaAs)晶体基片

技术参数：

 单晶：

 砷化镓(GaAs)

 掺杂：

 None；Si；Cr；Te；Zn

 导电类型：

 SI；N；Si；N；P

 载流子浓度cm-3：

 /> 5x1017     /~2x1018    >5x1018

 位错密度cm-2：

 <5x105

 生长方法及zui大尺寸：

 LEC & HB ?3"


产品规格：

常规晶向：<100>、<110>、<111>；

晶向公差：±0.05°

常规尺寸：5x5x0.5mm; 10x10x0.5mm;dia1"x0.5mm;

         dia2"x0.5mm;dia3"x0.5mm;dia4"x0.5mm;

抛光情况：细磨、单抛、双抛;

表面粗糙度Ra:<15A


注：可按照客户要求加工尺寸和晶向


标准包装：

1000级超净室100级超净袋真空封装或单片盒装

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