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GaAs晶体基片

简要描述:砷化镓(GaAs)晶体基片

  • 产品型号:
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2024-06-16
  • 访  问  量:1347

详细介绍

产品名称:

砷化镓(GaAs)晶体基片

技术参数:

 单晶

 砷化镓(GaAs)

 掺杂

 NoneSiCrTeZn

 导电类型

 SINSiNP

 载流子浓度cm-3

 /> 5x1017     /~2x1018    >5x1018

 位错密度cm-2

 <5x105

 生长方法及zui大尺寸

 LEC & HB ?3"


产品规格:

常规晶向:<100><110><111>

晶向公差:±0.05°

常规尺寸:5x5x0.5mm; 10x10x0.5mm;dia1"x0.5mm;

         dia2"x0.5mm;dia3"x0.5mm;dia4"x0.5mm;

抛光情况:细磨、单抛、双抛;

表面粗糙度Ra:<15A


注:可按照客户要求加工尺寸和晶向


标准包装:

1000级超净室100级超净袋真空封装或单片盒装

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