双靶磁控溅射仪主要由陶瓷靶/电解液制备部分，电极膜沉积系统和惰性气氛手套箱组成，主要组件包括有机/金属源蒸发沉积室，真空排气系统和真空测量系统，蒸发源，样品加热温度控制，电气控制系统，气体分配系统，高温烧结炉，手套箱等零件。通过采用其中真空沉积室被手套箱包裹的结构模型，将热蒸发沉积室放置在手套箱中。在水和氧气≤1PPM的气氛中，可以更方便地完成：更换样品，更换蒸发材料，连续制备锂和金属薄膜，陶瓷烧结和电池包装；沉积室也可以通过过渡室取出。由于保护了惰性气氛，因此在实验中可以提高高质量薄膜制备和包装的效率。
双靶磁控溅射仪是一种新开发的镀膜设备，可用于制备单层或多层铁电薄膜，导电薄膜，合金薄膜，半导体薄膜，陶瓷薄膜，介电薄膜，光学薄膜和氧化物薄膜，硬膜，聚四氟乙烯膜等。与同类设备相比，不仅用途广泛，而且具有体积小，操作简便的优点。它是用于实验室制备材料薄膜的理想设备。配备有两个靶枪，一个是辅助射频电源，用于非导电靶的溅射镀膜，另一个是辅助直流电源，用于对导电材料的溅射镀膜；它可以制备各种薄膜，具有广泛的应用范围；体积小，操作简单。
1、真空室具有前后门双开结构，便于设备维护以及实验样品的安装和更换，已安装一个具有自传功能的样品台。真空室的组件，包括蒸发源，分子泵吸气口，真空测试探针和膜厚测试探针，都具有合理的布局。真空室的真空度可以达到10-5Pa，关闭12小时后泄漏率小于或等于5Pa。
2、有4套蒸发源，包括2套束流源炉和2套钨丝加热蒸发舟。蒸发温度的控制精度为±1℃。蒸发源采用全封闭结构，*消除了交叉污染。
3、溅射方法包括射频和直流：自动阻抗匹配可以在射频模式下完成；直流电源功率为2kw。
4、样品台具有旋转，提升和加热的功能，并具有在线更换面罩的功能，并且面罩可以无间隙地粘合到样品上。样品台可以同时加载四个样品，每个样品都有一个独立的挡板，并且可以通过操纵器在线控制开关。
5、样品加热系统配备了精度为±1℃的样品加热电源。
6、膜厚测试组件可以实现膜厚的原位检测。
7、双靶磁控溅射仪具有水压检测，缺相保护和误操作保护等功能。
8、手套箱部件可以达到的水和氧气值小于1ppm。
9、内置手套箱高温炉，炉体尺寸为15*15*15cm，高温度可达1400℃。
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