双靶磁控溅射仪可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。与同类设备相比，其不仅应用广泛，且具有体积小便于操作的优点,是一款实验室制备材料薄膜的理想设备。
双靶磁控溅射仪原理
磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场E的作用下zui终沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较低。
双靶磁控溅射仪特点:
1、附着力要求：薄膜与玻璃片、硅片或者陶瓷基底的附着力能够承受3次胶带拉伸试验，薄膜没有被破坏。
2、样品具有反溅射功能，可对样品进行镀前预清洗。
3、设备配有阳极层离子源，可对样品进行清洗，同时，可在镀膜时，对样品进行辅助沉积。
4、工艺气体：工作气路2路：独立质量流量控制器2路，用于反应气体进气和氩气气路，采用MKS质量流量计；具有混气功能；腔内气压可测可调可控。
5、溅射室烘烤照明：采用红外加热除气方式，烘烤温度：150℃。
6、真空室内有衬板，避免溅射材料直接溅射到溅射室真空壁上。（在后面表格体现）
7、设备具有断水断电连锁保护功能，有防止误操作保护功能。系统采用手动控制膜制备过程可控制靶挡板、样品转动、样品控温等。
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