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双靶磁控溅射仪原理及主要特点

更新时间:2018-04-17      点击次数:2234
   双靶磁控溅射仪可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。与同类设备相比,其不仅应用广泛,且具有体积小便于操作的优点,是一款实验室制备材料薄膜的理想设备。
  双靶磁控溅射仪原理
  磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下,在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞,使其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向基片,Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜,而产生的二次电子会受到电场和磁场作用,产生E(电场)×B(磁场)所指的方向漂移,简称E×B漂移,其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场,则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动,它们的运动路径不仅很长,而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内,并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材,从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加,二次电子的能量消耗殆尽,逐渐远离靶表面,并在电场E的作用下zui终沉积在基片上。由于该电子的能量很低,传递给基片的能量很小,致使基片温升较低。
  双靶磁控溅射仪特点:
  1、附着力要求:薄膜与玻璃片、硅片或者陶瓷基底的附着力能够承受3次胶带拉伸试验,薄膜没有被破坏。
  2、样品具有反溅射功能,可对样品进行镀前预清洗。
  3、设备配有阳极层离子源,可对样品进行清洗,同时,可在镀膜时,对样品进行辅助沉积。
  4、工艺气体:工作气路2路:独立质量流量控制器2路,用于反应气体进气和氩气气路,采用MKS质量流量计;具有混气功能;腔内气压可测可调可控。
  5、溅射室烘烤照明:采用红外加热除气方式,烘烤温度:150℃。
  6、真空室内有衬板,避免溅射材料直接溅射到溅射室真空壁上。(在后面表格体现)
  7、设备具有断水断电连锁保护功能,有防止误操作保护功能。系统采用手动控制膜制备过程可控制靶挡板、样品转动、样品控温等。

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